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TSM120N06LCS RLG /MOSFET 60V, 54A, Single N- Channel Power MOSFET
TSM120N06LCS RLG的规格信息
TSM120N06LCS RLG的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:23 A

Rds On-漏源导通电阻:10.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:37 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:12.5 W, 2.2 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:38 S

下降时间:5 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:3.6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:6.4 ns

供应商TSM120N06LCS RLG
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集好芯城TSM120N06LCS RLG深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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TSM120N06LCS RLGTaiwan Semiconductor CorporationMOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP$1.91000
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TSM120N06LCS RLGTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 54A, Single N- Channel Power MOSFET1:¥5.763
10:¥5.0737
100:¥3.8872
500:¥2.8815
2,500:¥2.034
5,000:查看